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Si4354DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.025
1300
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1040
780
520
260
0
C rss
C iss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
I D
-
Drain Current (A)
V DS
-
Drain-to-Source Voltage (V)
6
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 9.5 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 9.5 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g
-
Total Gate Charge (nC)
T J - Junction Temperature (°C)
40
10
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.03
I D = 9.5 A
1
0.1
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD
-
Source-to-Drain Voltage (V)
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72967
S09-0392-Rev. C, 09-Mar-09
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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